[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

本发明的各个实施例涉及制造半导体器件的方法。提供了一种可靠性得到改进的半导体器件。提供了一种半导体器件：经由第一绝缘膜，在半导体衬底上形成用于存储器单元的控制栅极电极；经由具有电荷存储部的第二绝缘膜，在半导体衬底上形成用于存储器单元的存储器栅极电极，该存储器栅极电极与控制栅极电极相邻；通过离子注入，在半导体衬底中形成用于源极或者漏极的n^-型半导体区域；在控制栅极电极和存储器栅极电极的侧壁上，形成侧壁间隔件；通过离子注入，在半导体衬底中形成用于源极或者漏极的n⁺型半导体区域；以及去除存在于在控制栅极电极与存储器栅极电极之间的第二绝缘膜的上部。第二绝缘膜的去除长度大于n⁺型半导体区域的深度。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件配备有非易失性存储器的存储器单元，所述方法包括以下步骤：（a）提供半导体衬底；（b）在所述半导体衬底之上，经由第一绝缘膜，形成用于所述存储器单元的第一栅极电极；（c）在所述半导体衬底之上，经由在其中具有电荷存储部的第二绝缘膜，形成用于所述存储器单元的第二栅极电极，从而与所述第一栅极电极相邻；（d）在所述步骤（c）之后，通过离子注入，在所述半导体衬底中形成用于所述存储器单元的源极或者漏极的第一半导体区域；（e）在所述步骤（d）之后，在所述第一栅极电极和所述第二栅极电极的在与彼此相邻的侧壁相对之侧的相应侧壁上，形成侧壁绝缘膜；（f）在所述步骤（e）之后，通过离子注入，在所述半导体衬底中形成用于所述存储器单元的源极或者漏极的第二半导体区域；（g）在所述步骤（f）之后，形成第一层间绝缘膜，从而覆盖所述第一电极和所述第二电极；以及（h）对所述第一层间绝缘膜进行抛光，以使所述第一栅极电极和所述第二栅极电极暴露出来，其中在所述步骤（c）中形成的所述第二栅极电极经由所述第二绝缘膜与所述第一栅极电极相邻，其中在所述步骤（f）中形成的所述第二半导体区域具有与所述第一半导体区域的导电类型相同的导电类型，并且具有比所述第一半导体区域的杂质浓度更高的杂质浓度，其中在所述步骤（h）中，去除存在于在所述第一栅极电极与所述第二栅极电极之间的所述第二绝缘膜的上部，并且其中在所述步骤（h）中的所述第二绝缘膜的去除长度大于在所述步骤（f）中形成的所述第二半导体区域的深度。