[发明专利]一种高晶化率多晶硅薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201510474064.X | 申请日： | 2015-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN104975260B | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 王宙;骆旭梁;付传起;董桂馥;雍帆 | 申请（专利权）人： | 大连大学 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/24;C23C14/58 |
| 代理公司： | 大连智高专利事务所(特殊普通合伙)21235 | 代理人： | 胡景波 |
| 地址： | 116622 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高晶化率多晶硅薄膜的制备方法，该方法为选取多晶硅粉末及磷粉末为原料，石墨片为蒸发源，k9玻璃片为基板，将原料、蒸发源和前处理后的基板放置于真空镀膜机中蒸镀，设定基板与原料间距离为130～150cm，基板温度100～300℃；将蒸镀后所得到的样品放入真空退火炉中在550℃温度下退火2h，用铝标准腐蚀液对所得样品进行表面腐蚀，得到多晶硅薄膜。本发明的多晶硅薄膜平整度高、晶粒尺寸均匀性好、晶化率高可达94.95％，本发明所需原料价格低廉、储量丰富，制备的合金薄膜力学性能好、制备工艺简单，易于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高晶化率 多晶 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高晶化率多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，选取纯度为99.999％多晶硅粉末及质量百分数为0.1％‑1％磷粉末为原料，石墨片为蒸发源，k9玻璃片为基板，将原料、蒸发源和前处理后的基板放置于真空镀膜机中蒸镀，设定基板与原料间距离为140cm，基板温度150℃；将蒸镀后所得到的样品放入真空退火炉中在550℃温度下退火2h，用铝标准腐蚀液对所得样品进行表面腐蚀，得到多晶硅薄膜，所述的铝标准腐蚀液组成为80wt％硫酸、5wt％硝酸、5wt％醋酸和10wt％去离子水。
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