[发明专利]一种焦面位置测试掩膜版及确定焦面位置的方法有效
| 申请号： | 201510474182.0 | 申请日： | 2015-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN106707684B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 董立松;韦亚一;宋之洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G03F1/44 | 分类号： | G03F1/44;G03F7/207 |
| 代理公司： | 11252 北京维澳专利代理有限公司 | 代理人： | 党丽;江怀勤 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种焦面位置测试掩膜版及确定焦面位置的方法，包括：阻光区，包括具有设定宽度的至少一个阻光图形；透光区，包括具有设定宽度的至少一个透光图形；测试图形区，包括至少两种测试图形，所述测试图形为具有设定深度及设定宽度的图形，使得通过所述测试图形的透射光与通过所述透光区的透射光之间的相位差为90°的整数倍，且透射光相应负一级和负二级衍射光的振幅为0；所述阻光区、测试图形区、透光区依序相连，形成于透明基板上。利用本发明提供的测试掩膜版确定光刻机的最佳焦面位置，由于获取的焦面偏移量与图形偏移量的比值更大，从而提高检测光刻机的最佳焦距的灵敏度，以提升光刻精准度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 位置 测试 掩膜版 确定 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种焦面位置测试掩膜版，其特征在于，包括：/n阻光区，包括具有设定宽度的至少一个阻光图形；/n透光区，包括具有设定宽度的至少一个透光图形；/n测试图形区，包括至少两种测试图形，所述测试图形为具有设定深度及设定宽度的图形，使得通过所述测试图形的透射光与通过所述透光区的透射光之间的相位差为90°的整数倍，且透射光相应负一级和负二级衍射光的振幅为0；/n所述阻光区、测试图形区、透光区依序相连，形成于透明基板上。/n
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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