[发明专利]提高耐压能力的MOSFET终端结构及方法

摘要

本发明涉及一种终端结构及制备方法，尤其是一种提高耐压能力的MOSFET终端结构及方法，属于功率MOSFET的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述提高耐压能力的MOSFET终端结构，包括半导体基板，所述半导体基板包括衬底以及位于所述衬底上方且与衬底邻接的漂移区，在与终端区域对应的漂移区内设有耐压氧化体，所述耐压氧化体在垂直贯穿漂移区。本发明在与终端区域对应的漂移区内设置耐压氧化体，耐压氧化体的厚度不小于漂移区的厚度，通过耐压氧化体实施终端的耐压，结构紧凑，工作操作方便，与现有工艺相兼容，提高终端结构的耐压能力，降低MOSFET器件的使用成本，安全可靠。

主权项

1.一种提高耐压能力的MOSFET终端结构的制备方法，其特征是，所述制备方法包括如下步骤：步骤a、提供用于制备MOSFET器件的半导体基板，所述半导体基板包括衬底（100）以及用于形成器件区（102）、终端区域（103）的漂移区（101），所述漂移区（101）位于所述衬底（100）上方且与衬底（100）邻接；步骤b、在与终端区域（103）对应的漂移区（101）内设有耐压氧化体（109），所述耐压氧化体（109）垂直贯穿漂移区（101）；所述步骤b包括如下步骤：步骤b1、在与终端区域（103）对应的漂移区（101）内刻蚀得到若干均匀排布的第一终端过渡沟槽（107），所述第一终端过渡沟槽（107）从漂移区（101）的上表面垂直向下延伸，且第一终端过渡沟槽（107）在漂移区（101）的延伸深度不小于漂移区（101）的厚度；步骤b2、在第一终端过渡沟槽（107）内通过热氧化和/或淀积制备第一沟槽氧化层，所述第一沟槽氧化层填满第一终端过渡沟槽（107）；步骤b3、在与终端区域（103）对应的漂移区（101）内刻蚀得到若干均匀排布的第二终端过渡沟槽（108），所述第二终端过渡沟槽（108）从漂移区（101）的上表面垂直向下延伸，第二终端过渡沟槽（108）在漂移区（101）内的延伸深度不小于漂移区（101）的厚度，且第二终端过渡沟槽（108）与第一终端过渡沟槽（107）邻接；第二终端过渡沟槽（108）的深度与第一终端过渡沟槽（107）深度相一致，相邻第一终端过渡沟槽（107）间的间距也与第一终端过渡沟槽（107）相一致，所述第一终端过渡沟槽（107）的宽度为2μm~8μm，相邻第一终端过渡沟槽（107）间的距离为2μm~8μm；步骤b4、在第二终端过渡沟槽（108）内沉积第二沟槽氧化层，所述第二沟槽氧化层填满第二终端过渡沟槽（108）；步骤b5、去除覆盖漂移区（101）上表面上的氧化层，以在漂移区（101）内得到耐压氧化体（109）。