[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201510477191.5 | 申请日： | 2015-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN105374854B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 森彻 | 申请（专利权）人： | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;李洋 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供抑制了耐压的降低的半导体装置以及半导体装置的制造方法。该半导体装置具备：半导体基板；第一导电型的第一半导体区域，其形成于半导体基板的主面部，并且为从与主面部垂直的方向观察包括以规定的宽度沿规定的方向延伸的延伸部的形状；第一导电型的第二半导体区域，其以远离第一半导体区域的方式形成于主面部，并且为从与主面部垂直的方向观察包括沿着第一半导体区域的延伸部的部分的形状；电场缓和层，其形成于主面部的第二半导体区域侧，并且由与第一导电型不同的导电型的第二导电型的半导体层形成；以及导电体，其与第二半导体区域连接并且该导电体的第一半导体区域侧的端部位于电场缓和层的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；第一导电型的第一半导体区域，其形成于所述半导体基板的主面部，并且为从与所述主面部垂直的方向观察包括以规定的宽度沿规定的方向延伸的延伸部的形状；第一导电型的第二半导体区域，其以远离所述第一半导体区域的方式形成于所述主面部，并且为从与所述主面部垂直的方向观察包括沿着所述第一半导体区域的所述延伸部的部分的形状；电场缓和层，其形成于所述主面部的所述第二半导体区域侧，并且由与所述第一导电型不同的导电型的第二导电型的半导体层形成；以及导电体，其与所述第二半导体区域连接，该导电体的所述第一半导体区域侧的端部位于所述电场缓和层的范围内。
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