[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510477625.1 | 申请日： | 2015-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN105576028B | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 张家玮;巫柏奇;张哲诚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件。根据一些实施例，从第一多个鳍部和第二多个鳍部上方去除导电材料，其中，第一多个鳍部位于短栅极长度区域内，而第二多个鳍部位于长栅极长度区域内。通过首先利用至少一种蚀刻剂的低压和高流速的干蚀刻来执行去除，这使得导电材料在第二多个鳍部上方具有的厚度大于在第一多个鳍部上方的厚度。如此，当湿蚀刻用于去除剩余导电材料时，不会损伤第二多个鳍部和导电材料之间的介电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n半导体衬底，具有第一区域和第二区域，其中，所述第一区域包括用于短栅极长度器件的第一鳍部，所述第二区域包括用于长栅极长度器件的第二鳍部；/n第一伪材料，位于所述第一区域上方，所述第一伪材料以第一距离远离所述半导体衬底延伸；/n第二伪材料，位于所述第二区域上方，所述第二伪材料以第二距离远离所述半导体衬底延伸，所述第二距离大于所述第一距离；以及/n第二隔离区域，至少部分地限定所述第二区域，所述第二伪材料在所述第二隔离区域下方凹陷。/n
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