[发明专利]薄膜晶体管基板以及显示面板有效
申请号: | 201510479436.8 | 申请日: | 2015-08-03 |
公开(公告)号: | CN105336743B | 公开(公告)日: | 2019-06-18 |
发明(设计)人: | 李冠锋;蒋国璋;颜子旻 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/06;G09G3/32;G09G3/36 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 梁丽超;陈鹏 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本公开涉及薄膜晶体管基板以及显示面板。本发明实施例提供一种薄膜晶体管基板,其包括基板、栅极电极、半导体层、源极电极、漏极电极、第一保护层以及第二保护层。栅极电极配置于基板上。半导体层与栅极电极电性绝缘,源极电极与漏极电极皆与半导体层电性连接。第一保护层配置于半导体层上且具有第一氧空位浓度,第二保护层配置于第一保护层上且具有第二氧空位浓度。交界区位于第一保护层与第二保护层之间,且具有第三氧空位浓度。其中第三氧空位浓度大于第一氧空位浓度且大于第二氧空位浓度。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 以及 显示 面板 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管基板,其特征在于,所述薄膜晶体管基板包括:一基板;一栅极电极,配置于所述基板上;一半导体层,与所述栅极电极电性绝缘;一源/漏极电极,与所述半导体层电性连接;一第一保护层,配置于所述半导体层与所述源/漏极电极之间,具有一第一氧空位浓度;一第二保护层,配置于所述第一保护层与所述源/漏极电极之间,具有一第二氧空位浓度;以及一交界区,位于所述第一保护层与所述第二保护层之间,具有一第三氧空位浓度,其中,所述第三氧空位浓度大于所述第一氧空位浓度且大于所述第二氧空位浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的