[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510483128.2 | 申请日： | 2015-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN105322021B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 内村胜大;神永道台 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。提供了一种具有提高的可靠性的半导体器件，其中通过在制成于半导体衬底中的沟槽中的栅极绝缘膜形成用于沟槽‑栅极场效应晶体管的栅极电极。在邻近所述沟槽的区域中，所述栅极电极的上表面位于比半导体衬底的上表面更低的位置处。在栅极电极和沟槽侧壁之上形成侧壁绝缘膜。栅极电极和侧壁绝缘膜由作为层间绝缘膜的绝缘膜覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，具有形成在半导体衬底中的沟槽‑栅极场效应晶体管，所述半导体器件包括：制成于所述半导体衬底中的沟槽；通过栅极绝缘膜而形成在所述沟槽中的用于所述沟槽‑栅极场效应晶体管的栅极电极；以及在所述半导体衬底的主表面之上形成的层间绝缘膜，其中在邻近所述沟槽的区域中，所述栅极电极的上表面位于比所述半导体衬底的上表面更低的位置处，其中在所述栅极电极之上以及所述沟槽的侧壁之上形成侧壁绝缘膜，并且其中所述栅极电极和所述侧壁绝缘膜由所述层间绝缘膜所覆盖。
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