[发明专利]阵列基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201510487237.1 申请日: 2015-08-10
公开(公告)号: CN105137672B 公开(公告)日: 2018-11-30
发明(设计)人: 刘洋 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/77;H01L27/12
代理公司: 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 代理人: 朱绘;徐彦圣
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种阵列基板及其制造方法,属于显示技术领域,解决了现有的阵列基板的制造过程过于复杂的技术问题。该阵列基板包括形成于衬底基板上的多个子像素单元,每个所述子像素单元中包括薄膜晶体管和第二像素电极;所述薄膜晶体管的有源层和所述第二像素电极位于同一图层;所述有源层的材料为氧化物半导体;所述第二像素电极的材料为经等离子体处理的氧化物半导体。本发明可用于IPS型或FFS型液晶显示器中。
搜索关键词: 阵列 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种阵列基板的制造方法,包括:在衬底基板上形成扫描线、公共电极线、薄膜晶体管的栅极和第一像素电极;覆盖一层栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上形成氧化物半导体图形、数据线和薄膜晶体管的源极,其中,所述氧化物半导体图形包括薄膜晶体管的有源层和第二像素电极图形,所述有源层和所述第二像素电极位于同一图层;覆盖一层钝化层;对所述钝化层进行蚀刻,露出所述氧化物半导体图形中的第二像素电极图形;对所述氧化物半导体图形中的第二像素电极图形进行等离子体处理,形成第二像素电极。
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