[发明专利]化学气相沉积反应器或外延层生长反应器及其支撑装置在审
申请号: | 201510488112.0 | 申请日: | 2011-11-23 |
公开(公告)号: | CN105088186A | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
发明(设计)人: | 尹志尧;姜勇 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/458 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 张静洁;徐雯琼 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种化学气相沉积反应器或外延层生长反应器,包括一反应腔,所述反应腔内设置至少一基片承载架和一用于支撑所述基片承载架的支撑装置,所述基片承载架包括一第一表面和一第二表面,所述基片承载架的第二表面设置有至少一个向内凹陷的凹进部;所述支撑装置包括:主轴部;与所述主轴部的一端相连接、并沿所述主轴部外围向外延伸开来的支撑部,所述支撑部包括一支撑面;以及与所述主轴部相连接、并沿着向所述基片承载架的第一表面方向延伸一高度的插接部;所述支撑装置的插接部可分离地插接于所述凹进部内,从而使所述基片承载架放置于所述支撑装置上并由其支撑。本发明的基片承载架在基片加工过程中能够实现平衡、可靠地旋转。 | ||
搜索关键词: | 化学 沉积 反应器 外延 生长 及其 支撑 装置 | ||
【主权项】:
1.一种应用于化学气相沉积反应器或外延层生长反应器内、用于可分离地支撑基片承载架的支撑装置,包括:可旋转的主轴部,所述主轴部设置有支撑面用以支撑所述基片承载架;以及自所述支撑面向上延伸一高度的插接部,所述插接部呈一椭圆柱体或一长方体或一正方体;所述基片承载架设置有至少一个向内凹陷的凹进部,所述插接部可分离地插接于所述凹进部内,所述插接部的外周围与所述凹进部的内周壁有间隙,所述插接部至少部分地与所述凹进部的至少部分相互卡合或相互抵靠,在所述主轴部旋转时,藉由所述插接部推动所述基片承载架同步旋转,所述凹进部在所述基片承载架内设置有一顶表面,对应的支撑装置的插接部上也设置有一顶表面,所述凹进部的顶表面与所述插接部的顶表面之间存在间隙。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备(上海)有限公司,未经中微半导体设备(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510488112.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的