[发明专利]一种薄膜氮化镓基发光二极管的制备方法有效
| 申请号： | 201510488363.9 | 申请日： | 2015-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN105047778B | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 彭康伟;林素慧;许圣贤;林潇雄;刘传桂;郑建森 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜氮化镓基发光二极管的制备方法，通过先去除倒装发光二极管的蓝宝石衬底，再黏附于保护膜上，藉由溅镀技术在倒装发光二极管的微结构之上形成一Al2O3薄层，制得超薄LED芯片，从而大大降低热阻，并可降低整体LED封装体大小及封装成本；此外，薄膜发光二极管可实现无金线互联，提高封装可靠性，降低封装成本；再者，由于去除了较厚的蓝宝石衬底，减少了光线在蓝宝石衬底内的损失，更加有利于光提取率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 氮化 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜氮化镓基发光二极管的制备方法，包括以下工艺步骤：（1）提供一蓝宝石衬底；（2）在所述蓝宝石衬底上形成发光外延层；（3）在所述发光外延层上制作电极，形成倒装发光二极管；（4）将所述倒装发光二极管倒置，黏附于保护膜上，使得蓝宝石衬底朝上；（5）去除所述蓝宝石衬底，裸露出所述发光外延层；（6）采用溅镀工艺在所述发光外延层上沉积一Al2O3薄层，厚度为5~30μm；（7）去除所述保护膜，并将所述倒装发光二极管再次倒置，制得薄膜氮化镓基发光二极管。
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