[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201510488835.0 | 申请日： | 2015-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN105140294A | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 陈归;赵莽 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法，所述低温多晶硅薄膜晶体管包含一基板、一遮光层、一缓冲层、一多晶硅层、一栅极绝缘层、一栅极及至少一围栅通道。本发明通过围栅通道的设计，可有效降低薄膜晶体管所产生的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于：所述低温多晶硅薄膜晶体管包含：一基板；一遮光层，为金属材料且设置在所述基板上；一缓冲层，设置在所述遮光层及所述基板上；一多晶硅层，设置在所述缓冲层上；一栅极绝缘层，设置在所述多晶硅层及所述缓冲层上；一栅极，形成在所述栅极绝缘层上；及至少一围栅信道，所述围栅通道穿过所述栅极绝缘层及缓冲层，并连接在所述遮光层及所述栅极之间。
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