[发明专利]抑制反短沟道效应的方法及NMOS器件制备方法

摘要

本发明提供了提供了抑制反短沟道效应的方法及NMOS器件的制备方法，通过在浅掺杂源漏区磷离子注入后，增设一道氟离子注入工序，然后对浅掺杂源漏区进行低温退火长时间处理，所注入的氟离子与栅极边缘区域的空位和间隙原子等结合，能够阻止P型阱区中硼元素的扩散，从而抑制反短沟道效应；并且，氟离子能够抑制热载流子注入，因此，在氟离子注入的同时，不会造成热载流子注入的可靠性变差。

主权项

1.一种抑制NMOS器件的反短沟道效应的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤01：在一半导体衬底中形成浅沟槽隔离结构和有源区；步骤02：在所述有源区中形成硼掺杂的P型阱区，并且在所述半导体衬底上形成栅氧层和栅极，然后在所述栅极侧壁形成氧化修复层；步骤03：在所述栅极两侧的所述P型阱区中进行磷离子注入，以形成浅掺杂源漏区；步骤04：在所述浅掺杂源漏区中进行氟离子注入，从而使注入的氟离子与栅极边缘区域的空位和间隙原子结合，阻止P型阱区中的硼元素向栅极边缘区域扩散；步骤05：对经所述氟离子注入的所述浅掺杂源漏区进行退火处理。