[发明专利]消除碳化硅外延面穿通缺陷的方法在审
| 申请号： | 201510489191.7 | 申请日： | 2015-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN105140111A | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 刘兴昉;刘斌;刘胜北;闫果果;王雷;赵万顺;张峰;孙国胜;曾一平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/208 | 分类号： | H01L21/208;C30B29/36;C30B19/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种消除碳化硅外延面穿通缺陷的方法，包括如下步骤：步骤1：取一碳化硅衬底，并清洗干净；步骤2：对衬底的表面进行腐蚀，直至显露缺陷坑；步骤3：在衬底上制作硅层；步骤4：升高温度使硅层熔化，使之填满缺陷坑，并使外表面平整；步骤5：通入碳源，使熔化硅层部分转变成第一碳化硅层；步骤6：通入碳源，使剩余的熔化硅层部分转变成第二碳化硅层；步骤7：腐蚀，将剩余的硅层腐蚀掉，留下完整的第一、第二碳化硅层，完成制备。本发明是将碳化硅衬底外延表面的缺陷消除，进而达到防止缺陷穿通到外延层中。 | ||
| 搜索关键词： | 消除 碳化硅 外延 面穿通 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种消除碳化硅外延面穿通缺陷的方法，包括如下步骤：步骤1：取一碳化硅衬底，并清洗干净；步骤2：对衬底的表面进行腐蚀，直至显露缺陷坑；步骤3：在衬底上制作硅层；步骤4：升高温度使硅层熔化，使之填满缺陷坑，并使外表面平整；步骤5：通入碳源，使熔化硅层部分转变成第一碳化硅层；步骤6：通入碳源，使剩余的熔化硅层部分转变成第二碳化硅层；步骤7：腐蚀，将剩余的硅层腐蚀掉，留下完整的第一、第二碳化硅层，完成制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
