[发明专利]数字辐射传感器封装件在审
| 申请号： | 201510490157.1 | 申请日： | 2015-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN105374812A | 公开（公告）日： | 2016-03-02 |
| 发明（设计）人： | 亚瑟·约翰·巴洛;阿南德·潘迪 | 申请（专利权）人： | 埃塞力达技术新加坡有限私人贸易公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L27/16;H01L27/144;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 孟桂超;张颖玲 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 一种数字辐射传感器封装件。一种辐射传感装置包括垂直层叠配置的辐射传感器芯片、位于辐射传感器芯片之下的集成电路芯片和位于辐射传感器芯片之上的光学元件。辐射传感器芯片包括辐射传感元件和与辐射传感元件耦合并暴露于下表面的导电触点。集成电路芯片包括集成电路以及耦合到集成电路并暴露于上表面的导电体。位于辐射传感元件下表面的导电触点与位于集成电路上表面的导电体物理地电耦合。光学元件被配置为以辐射传感元件能感应的波长传递入射辐射。 | ||
| 搜索关键词： | 数字 辐射 传感器 封装 | ||
【主权项】：
一种辐射传感装置，包括垂直层叠配置的：辐射传感器芯片，其包括辐射传感元件和与所述辐射传感元件耦合并暴露于所述辐射传感器芯片的下表面的导电触点；集成电路芯片，位于所述辐射传感器芯片之下，并与之耦合，所述集成电路芯片包括集成电路以及耦合到所述集成电路并暴露于所述集成电路的上表面的导电体，所述集成电路的上表面面向所述辐射传感器芯片的下表面，其中，所述暴露于所述辐射传感器芯片的下表面的导电触点与所述暴露于所述集成电路的上表面的导电体物理地电耦合；以及光学元件，其位于所述辐射传感器芯片之上，并与之耦合，其中，所述光学元件被配置为以所述辐射传感元件能感应的波长传递入射辐射。
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