[发明专利]光学临近修正中的二维图形快速识别方法有效
申请号: | 201510490476.2 | 申请日: | 2015-08-11 |
公开(公告)号: | CN105068374B | 公开(公告)日: | 2019-07-23 |
发明(设计)人: | 金晓亮;钟政;袁春雨 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种光学临近修正中的二维图形快速识别方法,包括:在图形边沿放置一系列法线方向采样点,并利用快速卷积算法获得法线方向采样点光学强度;采用法线方向采样点光学强度对法线方向采样点做三次样条拟合,根据光学模型中光强反应临近值估计光学边界,随后在图形的光学边界处计算一阶差分以估算图形边沿处的斜率;在图形边沿放置一系列切线方向采样点,并利用快速卷积算法,以获得采样的切线采样点光强;计算每个切线采样点光强和参考点光强的差值,并且利用所述差值并根据斜率来估算切线漂移;利用所述光学边界估算步骤中估计出的光学边界、以及切向边界漂移,执行二维弯曲估算。 | ||
搜索关键词: | 光学 临近 修正 中的 二维 图形 快速 识别 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光学临近修正中的二维图形快速识别方法,其特征在于包括:光学强度法线采样步骤:在晶圆的图形边沿放置一系列法线方向采样点,并利用快速卷积算法,以获得法线方向采样点光学强度;光学边界估算步骤:采用法线方向采样点光学强度对法线方向采样点做三次样条拟合,而且根据光学模型中光强反应临近值估计光学边界,随后在图形的光学边界处计算一阶差分,以估算图形边沿处的斜率;光学强度切线采样步骤:在图形边沿放置一系列切线方向采样点,并利用快速卷积算法,以获得采样的切线采样点光强;切线边界漂移估算步骤:计算每个切线采样点光强和参考点光强的差值,并且利用所述差值并根据所述光学边界估算步骤中估算出的斜率来估算切线漂移;二维弯曲估算步骤:利用所述光学边界估算步骤中估计出的光学边界、以及所述切线边界漂移估算步骤中估算出的切向边界漂移,执行二维弯曲估算;所述二维弯曲估算步骤包括如下步骤:以所述光学边界估算步骤中估计出的光学边界为参考点建立坐标系;在所述坐标系下采用二次曲线拟合所述切线边界漂移估算步骤中估算出的切向边界漂移:Y=aX^2+bX+c,其中,a、b、c为拟合参数;利用拟合参数估算弯曲值Q:Q=2a/(1+b^2)^(2/3);计算归一化参数K=arctan(Q)/(pi/2),作为表示二维弯曲估算的参数。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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