[发明专利]控制栅电压导致字线晶体管势垒降低的模型在审
| 申请号： | 201510491056.6 | 申请日： | 2015-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN105118529A | 公开（公告）日： | 2015-12-02 |
| 发明（设计）人： | 范象泉 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种控制栅电压导致字线晶体管势垒降低的模型，重新定义字线的电压，将字线两侧控制栅的电压对字线电压的影响定义在模型中，从而能够获取准确的控制栅电压对字线电压的影响，进而能够精确的模拟出控制栅电压对势垒的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 电压 导致 晶体管 降低 模型 | ||
【主权项】：
一种控制栅电压导致字线晶体管势垒降低的模型，其特征在于，包括：VWL’＝VWL+R1*VCG1+R2*VCG2其中，VWL’为字线模拟仿真所需的电压，VWL为施加的字线电压，R1*VCG1和R2*VCG2为字线两侧控制栅的耦合电压，VCG1和VCG2分别为字线两侧施加的控制栅电压，R1和R2分别为控制栅电压对字线电压的耦合因数。
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