[发明专利]一种水平阵列高功率半导体激光器

摘要

本发明提出了一种水平阵列高功率半导体激光器，在上通水块和半导体激光器单元之间增加液体制冷片B，下通水块正面增加反馈光防护板，且采用级联电极片作为电连接结构。本方案的双面制冷的方式提高了器件的散热效率和可靠性，有效防止反馈光对半导体激光器的损伤。

主权项

1.一种水平阵列高功率半导体激光器，其特征在于：包括自下而上依次设置下通水块，一个或者多个半导体激光器单元，以及上通水块；所述的上通水块和下通水块用于固定半导体激光器单元，以及作为半导体激光器单元的散热装置；所述的一个或者多个半导体激光器单元在下通水块的上表面沿半导体激光器单元的慢轴方向依次平行排列，多个半导体激光器单元所发出激光光束的光轴相互平行；所述的半导体激光器单元包括液体制冷片A，激光芯片，绝缘层以及负极连接片，所述的激光芯片的正极键合在液体制冷片A的一端，所述的负极连接片为片状金属且与激光芯片的负极相连接，负极连接片与液体制冷片A之间设置绝缘层，绝缘层用于使液体制冷片A与负极连接片绝缘；所述的上通水块与每个半导体激光器单元之间均设置有液体制冷片B，液体制冷片B与多个半导体激光器单元一一对应，液体制冷片B下表面一部分紧密贴合于半导体激光器单元的负极连接片上表面，液体制冷片B下表面另一部分与负极连接片之间存在间隙;还包括级联电极片，正电极片和负电极片；所述的级联电极片为Z型的片状结构，包括相连接的两片电极片，级联电极片的一片接于半导体激光器单元的液体制冷片A底部，另一片接于相邻的半导体激光器单元的负极连接片；所述的正电极片的一端设置于未接有级联电极片的液体制冷片A的底部，另一端外接于电源的正极；所述的负电极片的一端设置于未接有级联电极片的半导体激光器单元负极连接片上，另一端外接于电源的负极。