[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201510493423.6 | 申请日： | 2015-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN105374877B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 安孙子雄哉;市村昭雄;五十岚俊昭;白井康裕 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/66 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;王娟娟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，使半导体器件(纵型的功率MOSFET)的特性提高。在将形成有半导体元件的单元区域(CR)包围的周边区域(PER)中设置具有角部的螺旋状的p型柱区域(PC3)。在将形成有半导体元件的单元区域(CR)包围的周边区域(PER)的外延层上形成将单元区域(CR)螺旋状地包围、且具有构成角部的第1侧面和第2侧面的沟槽，在该沟槽埋入外延层。像这样，通过将p型柱区域(PC3)(n型柱区域)螺旋状地配置，而能够避免基于过热点的耐压裕度的降低。另外，由于维持了p型柱区域(PC3)(n型柱区域)的连续性，所以电场朝向外周部被阶段地缓和，耐压得以提高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，具有：半导体层，其具有第1区域和包围所述第1区域的第2区域；形成于所述第1区域的所述半导体层中的多个第1凸柱和多个第2凸柱，所述第1凸柱为第1导电类型，所述第2凸柱为导电类型与所述第1导电类型相反的第2导电类型；半导体元件，其形成于所述第1区域的所述半导体层的上方；以及形成于所述第2区域的所述半导体层中的第3凸柱及第4凸柱，所述第3凸柱为所述第1导电类型，所述第4凸柱为所述第2导电类型，所述第1凸柱与所述第2凸柱交替地配置，所述第3凸柱配置为螺旋状地包围所述第1区域，所述第4凸柱配置于螺旋状的所述第3凸柱之间，且配置为螺旋状地包围所述第1区域，所述第1凸柱配置于形成于所述半导体层中的第1沟槽中，所述第3凸柱配置于形成于所述半导体层中的第2沟槽中，所述螺旋状的第3凸柱的第1周具有角部，构成角部的第1侧面及第2侧面与面(100)或者面(110)对应。
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