[发明专利]一种封装结构的压力传感器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种封装结构的压力传感器及其制备方法，硅片的正面通过掺杂制得淡硼掺杂区和浓硼掺杂区，硅片的背面通过刻蚀设有凹槽，凹槽的底部和淡硼掺杂区之间形成硅压力膜，绝缘层敷设在硅片的正面，金属引线设置在绝缘层的顶部，金属引线分别连接淡硼掺杂区和浓硼掺杂区，淡硼掺杂区形成四个压阻条，压阻条和金属引线构成惠斯通全桥结构，硅片的正面通过中间层与正面键合玻璃相键合；反面键合玻璃和硅片的背面键合，反面键合玻璃上正对硅压力膜的一面开设导气孔；正面键合玻璃上正对硅压力膜的部分开设空腔。本发明的封装结构简单、紧凑，可靠性高，且制造工艺简单，能够实现圆片级封装，便于低成本、批量化生产。

主权项

一种封装结构的压力传感器，其特征在于，包括反面键合玻璃、硅片、正面键合玻璃、淡硼掺杂区、浓硼掺杂区、绝缘层、金属引线、中间层；所述硅片的正面通过掺杂制得淡硼掺杂区和浓硼掺杂区，所述硅片的背面通过刻蚀设有凹槽，所述凹槽的底部和淡硼掺杂区之间形成硅压力膜，所述绝缘层敷设在硅片的正面，所述金属引线设置在绝缘层的顶部，所述金属引线分别连接淡硼掺杂区和浓硼掺杂区，所述淡硼掺杂区形成四个压阻条，所述压阻条和金属引线构成惠斯通全桥结构，所述硅片的正面通过中间层与正面键合玻璃相键合；所述反面键合玻璃和硅片的背面键合，所述反面键合玻璃上正对硅压力膜的一面开设导气孔；所述正面键合玻璃上正对硅压力膜的部分开设空腔。