[发明专利]晶圆级芯片封装方法在审
申请号: | 201510494161.5 | 申请日: | 2015-08-12 |
公开(公告)号: | CN105161431A | 公开(公告)日: | 2015-12-16 |
发明(设计)人: | 林正忠;仇月东 | 申请(专利权)人: | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/60;H01L21/768 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 罗泳文 |
地址: | 214437 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种晶圆级芯片封装方法,包括:1)提供第一载体及第一粘合层,将半导体芯片粘附于第一粘合层;2)采用注塑工艺对各半导体芯片进行封装,形成封装层;3)去除所述第一载体及第一粘合层;4)提供第二载体及第二粘合层,将所述封装层粘合于所述第二粘合层;5)于各半导体芯片正面形成介质层,并基于所述介质层对各半导体芯片制作重新布线层;6)于所述重新布线层上进行植球回流工艺,形成微凸点;7)去除所述第二载体及第二粘合层。本发明通过将塑封好的半导体芯片再次固定于载体上,以加强塑封材料的稳定性,避免塑封材料在后续的重新布线工艺及植球工艺过程中会出现变形的问题,在半导体制造领域具有广泛的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 晶圆级 芯片 封装 方法 | ||
【主权项】:
一种晶圆级芯片封装方法,其特征在于,所述晶圆级芯片封装方法包括步骤:1)提供第一载体,所述第一载体表面具有第一粘合层,将半导体芯片正面朝下地粘附于所述第一粘合层表面;2)采用注塑工艺对各半导体芯片进行封装,形成封装层;3)分离所述第一粘合层及各半导体芯片,以去除所述第一载体及第一粘合层;4)提供第二载体,所述第二载体表面具有第二粘合层,将所述封装层粘合于所述第二粘合层,且使各半导体芯片正面朝上;5)于各半导体芯片正面形成介质层,并基于所述介质层对各半导体芯片制作重新布线层;6)于所述重新布线层上进行植球回流工艺,形成微凸点;7)分离所述第二粘合层及封装层,以去除所述第二载体及第二粘合层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造