[发明专利]工艺分离型基板处理装置及处理方法有效
| 申请号： | 201510494732.5 | 申请日： | 2015-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN105374714B | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 赵允仙;金瀚沃 | 申请（专利权）人： | 杰宜斯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人： | 郑青松 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种诸如半导体晶片的基板处理装置及处理方法，更详细地说涉及一种分离诸如蚀刻工艺的液体处理工艺与清洗工艺，从而在不同的腔室执行的工艺分离型基板处理装置及处理方法。为了达成上述目的，根据本发明的工艺分离型基板处理装置包括：第一腔室，包括并执行向基板供应第一处理液的液体处理工艺；第二腔室，包括并执行向所述基板供应第二处理液的液体处理工艺；及移送单元，在所述第一及第二腔室之间移送所述基板，其中，所述第一腔室与第二腔室执行的工艺进行分离，以抑制在腔室内生成结晶。 | ||
| 搜索关键词： | 基板处理装置 液体处理工艺 第二腔室 分离型 第一腔室 基板供应 处理液 半导体晶片 清洗工艺 蚀刻工艺 移送单元 基板 腔室 室内 | ||
【主权项】：
1.一种工艺分离型基板处理装置，其特征在于，包括：第一腔室，包括并执行使基板处理面朝下向所述基板的下部供应第一处理液的液体处理工艺；第二腔室，包括并执行使基板处理面朝上向所述基板的上部供应第二处理液的液体处理工艺；及移送单元，翻转所述第一腔室的基板来移送到所述第二腔室；其中，所述第一处理液为在液体处理工艺时可生成结晶的药液，或者与第二处理液相互反应而生成结晶的药液，所述第一腔室还包括加热所述基板的加热单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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