[发明专利]一种双离子掺杂氧化铈缓冲层及其制备方法

摘要

本发明公开了一种双离子掺杂氧化铈缓冲层，该缓冲层的化学组成为(Ce0.8Gd0.2)1‑xRxOy，其中x的取值为0.01～0.2，R为Zr或Mn。另外，本发明还公开了制备该双离子掺杂氧化铈缓冲层的方法，该方法为一、将铈的有机盐、钆的有机盐和R的有机盐溶解于丙酸中，得到前驱液；二、将所述前驱液涂敷于NiW金属基带上，然后将涂敷有前驱液的NiW金属基带置于管式炉中进行保温热处理，随炉冷却后在NiW金属基带表面得到(Ce0.8Gd0.2)1‑xRxOy双离子掺杂氧化铈缓冲层。本发明的缓冲层具有锐利的立方取向，表面光滑平整、无裂纹，有利于外延生长超导层。

主权项

一种双离子掺杂氧化铈缓冲层，其特征在于，该缓冲层的化学组成为：(Ce0.8Gd0.2)1‑xRxOy，其中x的取值为0.01～0.2，R为Zr或Mn；该缓冲层的制备方法为：步骤一、将铈的有机盐、钆的有机盐和R的有机盐按照Ce:Gd:R＝0.8(1‑x):0.2(1‑x):x的摩尔比溶解于丙酸中，得到金属离子摩尔浓度为0.1mol/L～1mol/L的前驱液；步骤二、采用旋涂的方式将步骤一中所述前驱液涂敷于NiW金属基带上，然后将涂敷有前驱液的NiW金属基带置于管式炉中，在还原性气氛保护下，以20℃/min～200℃/min的升温速率将管式炉的炉内温度升至950℃～1050℃，保温热处理0.5h～1h，随炉冷却后在NiW金属基带表面得到(Ce0.8Gd0.2)1‑xRxOy缓冲层。