[发明专利]梯形像素Bank结构和OLED器件的制备方法有效
申请号: | 201510500571.6 | 申请日: | 2015-08-14 |
公开(公告)号: | CN105070685B | 公开(公告)日: | 2019-05-24 |
发明(设计)人: | 高卓 | 申请(专利权)人: | TCL集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 516006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明适用于印刷显示技术领域,分别提供了梯形像素Bank结构和OLED器件的制备方法。所述梯形像素Bank结构的制备方法包括:提供一TFT背板,在所述TFT背板的电极上制备Bank层,对所述Bank层依次进行两次曝光、显影和刻蚀处理,形成倒梯形像素区域,得到具有梯形Bank的梯形像素Bank结构。本发明提供的梯形像素Bank结构的制备方法,能有效补偿显影液、刻蚀液对像素Bank的横向侵蚀作用,克服了因Bank底部的过刻蚀对器件像素均匀性造成的影响;同时,采用先聚光再扫描式曝光的方式对正性Bank材料进行曝光处理,可以提高显示器件的像素精度,进而提高印刷显示器件的分辨率。 | ||
搜索关键词: | 梯形 像素 bank 结构 oled 器件 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种梯形像素Bank结构的制备方法,包括以下步骤:提供一TFT背板,在所述TFT背板的电极上涂覆一层Bank材料,对所述Bank材料进行烘烤处理,以形成与所述电极具有粘性的Bank层,其中,所述Bank材料为正性Bank材料;将图形化的掩膜板平行置于所述Bank层的上方,在所述掩膜板的上方设置光源,在所述光源与所述掩膜板之间、所述掩膜板与所述Bank层之间,分别设置与所述Bank层平行的第一光学棱镜和第二光学棱镜,所述光源发出的光线经聚光装置进行聚光处理后,透过所述第一光学棱镜照射所述掩膜板,经所述第二光学棱镜对所述Bank层进行两次曝光处理,对经两次曝光处理后的所述Bank层依次进行显影,形成倒梯形像素区域,得到具有梯形Bank的梯形像素Bank结构,其中,所述倒梯形像素区域中,倒梯形的顶边和底边分别以d、l表示,d>l,所述Bank层的高度以h表示,所述梯形Bank的底边与所述倒梯形像素区域的侧边形成的夹角以α表示,所述两次曝光处理的方法为:第一次曝光处理:调节两个光学棱镜使得透过两个光学棱镜的光源与所述Bank层之间形成(90°‑α)的夹角,同步移动所述掩膜板和所述Bank层、或同步移动所述光源、聚光装置、第一光学棱镜和第二光学棱镜,使所述光线扫描式照射所述掩膜板,进行第一次曝光;第二次曝光处理:与第一次曝光处理反方向调整两个光学棱镜(180°‑2α),使得透过两个光学棱镜的光源与所述Bank层之间形成(90°‑α)的夹角,同步移动所述掩膜板和所述Bank层、或同步移动所述光源、聚光装置、第一光学棱镜和第二光学棱镜,使所述光线扫描式照射所述掩膜板,进行第二次曝光;所述d、h、α之间满足ctgα<d/2h。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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