[发明专利]梯形像素Bank结构和OLED器件的制备方法

摘要

本发明适用于印刷显示技术领域，分别提供了梯形像素Bank结构和OLED器件的制备方法。所述梯形像素Bank结构的制备方法包括：提供一TFT背板，在所述TFT背板的电极上制备Bank层，对所述Bank层依次进行两次曝光、显影和刻蚀处理，形成倒梯形像素区域，得到具有梯形Bank的梯形像素Bank结构。本发明提供的梯形像素Bank结构的制备方法，能有效补偿显影液、刻蚀液对像素Bank的横向侵蚀作用，从而获得具有倾角α的梯形像素Bank结构，克服了因Bank底部的过刻蚀对器件像素的均匀性造成的影响，避免了器件开路，减小了器件的开口率。

主权项

1.一种梯形像素Bank结构的制备方法，包括以下步骤：提供一TFT背板，在所述TFT背板的电极上涂覆一层Bank材料，对所述Bank材料进行烘烤处理，以形成与所述电极具有粘性的Bank层，其中，所述Bank材料为负性Bank材料；将图形化的掩膜板固定在所述Bank层的上端，使用光源透过光学棱镜照射所述掩膜板，对所述Bank层依次进行两次曝光、显影和刻蚀处理，形成倒梯形像素区域，得到具有梯形Bank的梯形像素Bank结构，其中，所述倒梯形像素区域中，倒梯形的顶边和底边分别以d、l表示，d＞l，所述Bank层的高度以h表示，所述梯形Bank的底边与所述梯形Bank的侧边形成的夹角以α表示，所述两次曝光处理的方法为：第一次曝光处理：调节所述光学棱镜使得透过所述光学棱镜的光源与所述Bank层之间形成(90°‑α)的夹角，进行第一次曝光；第二次曝光处理：与第一次曝光处理反方向调整所述光学棱镜(180°‑2α)，使得透过所述光学棱镜的光源与所述Bank层之间形成(90°‑α)的夹角，进行第二次曝光；所述d、h、α之间满足ctgα＜d/2h。