[发明专利]一种图像传感器芯片及制造方法

摘要

本发明提供了一种图像传感器芯片及制造方法。该方法包括：提供衬底；在所述衬底上方形成隔离层；在所述隔离层上形成光刻胶层，并在所述光刻胶层的中心区域进行开口，露出所述中心区域的所述隔离层；刻蚀所述中心区域的所述隔离层和所述衬底，在所述衬底的中心区域形成沟槽；除去所述沟槽外围区域剩余的光刻胶层；在所述沟槽上方以及所述沟槽外围区域的上方形成牺牲氧化层，之后去除；在所述沟槽内填充掺杂的单晶硅，形成光电二极管区。相比现有技术，本发明的图像传感器芯片及制造方法，可以避免产生离子污染和晶格损伤，从而降低白点个数，提高图像传感器的成像质量。

主权项

一种图像传感器芯片的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供衬底；在所述衬底上方形成隔离层；在所述隔离层上形成光刻胶层，并在所述光刻胶层的中心区域进行开口，露出所述中心区域的所述隔离层；刻蚀所述中心区域的所述隔离层和所述衬底，在所述衬底的中心区域形成沟槽；除去所述沟槽外围区域剩余的光刻胶层；在所述沟槽上方以及所述沟槽外围区域的上方形成牺牲氧化层，之后去除；在所述沟槽内填充掺杂的单晶硅，形成光电二极管区。