[发明专利]一种可以降低InAs/GaSb超晶格长波红外探测器暗电流的表面钝化方法

摘要

本发明公开了一种可以降低InAs/GaSb超晶格长波红外探测器暗电流的表面钝化方法，其步骤如下：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长GaAs缓冲层；步骤3：在GaAs缓冲层上生长p型GaSb缓冲层；步骤4：在GaSb缓冲层上生长p型InAs/GaSb超晶格层、InAs/GaSb超晶格吸收层、n型InAs/GaSb超晶格层、InAs盖层；步骤5：采用标准光刻工艺技术及感应耦合等离子体刻蚀技术刻蚀露出p型InAs/GaSb超晶格层；步骤6：在p型InAs/GaSb超晶格层和InAs盖层上利用磁控溅射技术沉积合金电极Ti/Pt/Au，并用丙酮溶液进行金属剥离、清洗；步骤7：在剥离、清洗后的基片上，利用感应耦合等离子体化学气相沉技术在75℃下生长SiO₂高质量绝缘层薄膜，然后刻蚀露出电极，最后封装、测试。本方法可以减小器件暗电流，提高器件性能。

主权项

一种可以降低InAs/GaSb超晶格长波红外探测器暗电流的表面钝化方法，其特征在于所述方法步骤如下：    步骤1：取一衬底；    步骤2：在衬底上生长GaAs缓冲层；    步骤3：在GaAs缓冲层上生长p型GaSb缓冲层；    步骤4：在GaSb缓冲层上生长外延片，外延片包括p型InAs/GaSb超晶格层、InAs/GaSb超晶格吸收层、n型InAs/GaSb超晶格层、InAs盖层；    步骤5：采用标准光刻工艺技术及感应耦合等离子体刻蚀技术刻蚀露出p型InAs/GaSb超晶格层；    步骤6：在p型InAs/GaSb超晶格层和InAs盖层上利用磁控溅射技术沉积合金电极Ti/Pt/Au，并用丙酮溶液进行金属剥离、清洗；步骤7：在剥离、清洗后的基片上，利用感应耦合等离子体化学气相沉技术在75℃下生长SiO₂高质量绝缘层薄膜，然后利用反应离子刻蚀技术刻蚀露出电极，最后封装、测试。