[发明专利]一种Bi2+掺杂的近红外长余辉材料及其制备方法、应用

摘要

本发明公开了一种Bi2+掺杂的近红外长余辉材料，基质材料为ASnO3，掺杂元素为Bi、M、N；其中A为Ca、Sr中的一种，M为Mo、Zr、Nb、Ti、Cr中的一种，N为Y、La中的一种；x的范围为0.1mol％～5mol％，y的范围为0.1mol％～5mol％，z的范围为0.1mol％～5mol％。本发明还公开了上述近红外长余辉材料的制备方法和应用。本发明还公开了上述近红外长余辉材料的制备方法。本发明的近红外长余辉材料发射出650‑1000nm波段的近红外长余辉，其发射峰峰位于800nm附近，并都具备一定的余辉发光时间。

主权项

一种Bi2+掺杂的近红外长余辉材料，其特征在于，基质材料为ASnO3，掺杂元素为Bi、M、N；其中A为Ca、Sr中的一种，M为Mo、Zr、Nb、Ti、Cr中的一种，N为Y、La中的一种；Bi的掺杂范围为0.1mol％～5mol％，M的掺杂范围为0.1mol％～5mol％，N的掺杂范围为0.1mol％～5mol％。