[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、显示器件

摘要

本发明涉及显示技术领域，公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、显示器件。所述薄膜晶体管包括半导体层和刻蚀阻挡层，刻蚀阻挡层仅覆盖半导体层的沟道区域，并通过一次构图工艺形成所述半导体层和刻蚀阻挡层，不需要单独增加制作刻蚀阻挡层的工艺，简化了薄膜晶体管的制作工艺。当源电极和漏电极搭接在半导体层上时，在形成源电极和漏电极的刻蚀工艺中，所述刻蚀阻挡层能够保护位于其下方的半导体层不被刻蚀，保证薄膜晶体管的半导体特性，提高薄膜晶体管显示器件的显示质量。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：通过一次构图工艺形成所述薄膜晶体管的半导体层和刻蚀阻挡层，其中，所述刻蚀阻挡层覆盖部分所述半导体层；所述通过一次构图工艺形成所述薄膜晶体管的半导体层和刻蚀阻挡层的步骤具体包括：依次形成半导体层薄膜和刻蚀阻挡层薄膜；在所述刻蚀阻挡层薄膜上形成第一光刻胶，对所述第一光刻胶进行曝光，显影，形成具有第一图案的第一光刻胶，所述具有第一图案的第一光刻胶包括光刻胶保留区域和光刻胶不保留区域；以所述具有第一图案的第一光刻胶为掩膜，对所述刻蚀阻挡层薄膜进行蚀刻，去除对应第一光刻胶的光刻胶不保留区域的所述刻蚀阻挡层薄膜，形成所述刻蚀阻挡层；对所述具有第一图案的第一光刻胶进行曝光后烘烤工艺，使得所述具有第一图案的第一光刻胶包覆所述刻蚀阻挡层，形成具有第二图案的第一光刻胶，且所述具有第二图案的第一光刻胶覆盖部分半导体层薄膜；以所述具有第二图案的第一光刻胶为掩膜，对半导体层薄膜进行蚀刻，去除剩余的第一光刻胶形成所述薄膜晶体管的半导体层。