[发明专利]低温多晶硅薄膜、薄膜晶体管及各自制备方法、显示装置有效
| 申请号： | 201510502838.5 | 申请日： | 2015-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN105097453B | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 李栋;陆小勇;李小龙;刘政;张帅;詹裕程;刘建宏;龙春平 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种低温多晶硅薄膜、薄膜晶体管及各自制备方法、显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的低温多晶硅薄膜均一性差的问题。本发明的低温多晶硅薄膜的制备方法，包括：在基底上方形成非晶硅薄膜；采用掩模板对非晶硅薄膜进行激光退火，形成低温多晶硅薄膜；其中，所述掩模板包括透光区和将透光区包围的遮光区，且所述遮光区的两条相对的侧边为起伏结构。本发明的制备方法形成的低温多晶硅薄膜性能改到改善。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 薄膜 薄膜晶体管 各自 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在基底上方形成非晶硅薄膜；采用掩模板对非晶硅薄膜进行激光退火，形成低温多晶硅薄膜；其中，所述掩模板包括透光区和将透光区包围的遮光区，且所述遮光区的两条相对的侧边为起伏结构；在所述起伏结构中各个波峰等间距分布，且两相邻波峰之间的距离为0.3μm至2μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
