[发明专利]一种制造有机无机钙钛矿晶体薄膜的方法在审
申请号: | 201510503651.7 | 申请日: | 2015-08-17 |
公开(公告)号: | CN105098080A | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
发明(设计)人: | 李世彬;李杭倩;陈乐毅;王美娟;陈志 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48;H01L21/324 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 谭新民 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种制造有机无机钙钛矿晶体薄膜的方法,包括:清洗柔性衬底;在柔性衬底上形成有机无机钙钛矿薄膜;在N,N-二甲基甲酰胺或者二甲基亚砜蒸汽气氛下对该有机无机钙钛矿薄膜进行退火处理。本发明的这些实施例中,在DMF或DMSO蒸汽气氛下进行退火处理,在这种溶剂热退火过程中,可以使小晶粒不断萎缩,而相对较大的晶粒不断长大,使得有机无机钙钛矿晶体薄膜的晶粒平均尺寸不断增加,并且可以得到更多[220]晶向的晶粒,因此可以延长其载流子寿命,促进晶粒的生长,使晶粒尺寸更大,减少晶界复合,从而提高有机无机钙钛矿太阳能电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 制造 有机 无机 钙钛矿 晶体 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
一种制造有机无机钙钛矿晶体薄膜的方法,其特征在于,包括:清洗柔性衬底;在所述柔性衬底上形成有机无机钙钛矿薄膜;在N,N‑二甲基甲酰胺或者二甲基亚砜蒸汽气氛下对所述有机无机钙钛矿薄膜进行退火处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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