[发明专利]选择性背场结构的制备工艺与N型太阳能电池的制备方法

摘要

本申请提供了一种选择性背场结构的制备工艺与N型太阳能电池的制备方法。该选择性背场结构的制备工艺包括：步骤A1，采用扩散的方式在硅基底的第一表面形成N⁺层，N⁺层中的远离硅基底的表面层为磷硅玻璃层；步骤A2，采用激光按照预定图形扫描N⁺层，在N⁺层中形成N⁺⁺层；以及步骤A3，湿法腐蚀N⁺层，去除磷硅玻璃层或者去除磷硅玻璃层及部分N⁺⁺层，形成选择性背场结构。该制备工艺过程中，不需要更改扩散工艺，不需要增加掩膜，也不需要去除掩膜的步骤，就可以形成选择性背场结构。这样，简化了选择性背场结构的制备工艺，降低了制备成本，有利于选择性背场结构在太阳能电池中的推广。

主权项

一种选择性背场结构的制备工艺，其特征在于，所述制备工艺包括：步骤A1，采用扩散的方式在硅基底的第一表面形成N⁺层，所述N⁺层中的远离所述硅基底的表面层为磷硅玻璃层；步骤A2，采用激光按照预定图形扫描所述N⁺层，在所述N⁺层中形成N⁺⁺层；以及步骤A3，湿法腐蚀所述N⁺层，去除所述磷硅玻璃层或者去除所述磷硅玻璃层及部分所述N⁺⁺层，形成选择性背场结构。