[发明专利]一种制备疏水性人工晶体的聚合物

摘要

本发明涉及一种制备疏水性人工晶体的聚合物，所述聚合物包括a)25.0％～65.0％具有结构式(i)的第一单体、b)5.0％～50.0％具有结构式(ii)的第二单体、c)5.0％～65.0％第三单体甲基丙烯酸乙氧基乙酯或甲基丙烯酸月桂酯、d)0.5％～8.0％任选的交联剂和e)0.1％～5.0％任选的热引发剂。所述聚合物还可包含第四单体，如甲基丙烯酸甲酯或甲基丙烯酸丙酯或丙烯酸异冰片酯。所述聚合物还可加入紫外吸收剂。本发明提供的聚合物制备的疏水性人工晶体具有折光率≥1.51、玻璃化转化温度在9‑15℃之间、不粘合、柔韧性好特点。本发明还提供所述制备疏水性人工晶体的聚合物的制备方法。

主权项

1.一种用于制备疏水性人工晶体的聚合物，包括：a)结构式(i)所示的第一单体；b)结构式(ii)所示的第二单体；c)第三单体甲基丙烯酸乙氧基乙酯；d)任选的交联剂；e)任选的热引发剂；其中，结构式(i)为：Y是C_nH_2n，n为1～6中的任意整数，Ar是被1～5个取代基取代的或者未取代的芳基或杂芳基，所述取代基选自卤素、C₁‑C₄烷基、C₁‑C₄烷氧基、C₁‑C₄烷基‑S‑、C₁‑C₄卤代烷氧基和C₁‑C₄卤代烷基；结构式(ii)为：Y是C_nH_2n，n为1～4中的任意整数，Ar是被1～5个取代基取代的或者未取代的芳基或杂芳基，所述取代基选自卤素、C₁‑C₄烷基、C₁‑C₄烷基‑O‑、C₁‑C₄烷基‑S‑、C₁‑C₄卤代烷基‑O‑和C₁‑C₄卤代烷基；其中所述第一单体占所有单体质量总和的比例是25.0％～65.0％；其中所述第二单体占所有单体质量总和的比例是5.0％～50.0％；其中所述第三单体占所有单体质量总和的比例是5.0％～65.0％。