[发明专利]真空气体保护压力烧结制备TiB2直流磁控溅射镀膜靶在审
| 申请号： | 201510504593.X | 申请日： | 2015-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN105018890A | 公开（公告）日： | 2015-11-04 |
| 发明（设计）人： | 贾泽夏;庄志杰 | 申请（专利权）人： | 基迈克材料科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C04B35/645 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 郭春远 |
| 地址： | 215214 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 真空气体保护压力烧结制备TiB2直流磁控溅射镀膜靶，对纯度为99.95％的TiB2粉体进行球磨处理，然后装模，使用T＝1000℃烧结，增压至1MPa，得到半成品，进行机械加工，确保所有平面保持平整，角度成直角，得到TiB2镀膜靶材；通过材料设计和采用活化烧结技术，提高了TiB2膜的硬度，镀膜过程稳定，膜层均匀。成本低，制备周期短，无需后处理等工艺，宜于实现工业生产，具有突出的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 气体 保护 压力 烧结 制备 tib sub 直流 磁控溅射 镀膜 | ||
【主权项】：
真空气体保护压力烧结制备TiB2直流磁控溅射镀膜靶,其特征在于使用真空气体保护压力烧结，对纯度为99.95％的TiB2粉体进行球磨处理，然后装模，使用T＝1000℃烧结，增压至1MPa，得到半成品，进行机械加工，确保所有平面保持平整，角度成直角，得到TiB2镀膜靶材；具体包含以下步骤：1)对原料TiB2粉体进行球磨处理，得到粒度细而均匀的颗粒；2)将处理过的粉末进行装模；3)对装模后粉末进行烧结和增压处理，烧结温度范围为1000—1800℃，压力范围为1MPa—20MPa；4)经过烧结和增压处理得到半成品，对半成品进行加工处理将烧结完成的靶材坯体进行机械加工，确保所有平面保持平整，角度成直角，得到TiB2镀膜靶材。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于基迈克材料科技（苏州）有限公司，未经基迈克材料科技（苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510504593.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
