[发明专利]半导体硅锗薄膜的制备方法

摘要

一种半导体硅锗薄膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤对单晶硅基片进行清洗，清洗后置于衬底台上；分别进行溅射硅的单一薄膜和锗的单一薄膜；采用共溅法，在又一单晶硅基片沉积不同成分的硅锗合金薄膜，测得所沉积薄膜的厚度，得到具有不同成分比的硅锗合金薄膜。与现有技术相比，本发明的优点在于采用偏置靶材离子束沉积，结合了离子束沉积技术和磁控溅射沉积技术的优点，能够有效克服磁控溅射沉积技术和离子束沉积技术两者的缺点。

主权项

一种半导体硅锗薄膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤：①用丙酮对单晶硅基片进行超声清洗5～10min，然后用甲醇超声清洗5～10min，再次用异丙醇超声清洗5～10min，最后用去离子水反复冲洗，干燥后将单晶硅基片置于衬底台上；②将沉积系统的真空室抽真空至8×10‑8～9×10‑8Torr，使腔室温度保持在室温20～30℃，并维持真空室压强维持在8×10‑8～9×10‑8Torr；③在单晶硅基片上溅射硅的单一薄膜，溅射压强为4×10‑4～5×10‑4Torr，负极偏置电压为600～700V，溅射气体为氩气，气体流量为30sccm～50sccm，溅射时间30～50min，测得所沉积薄膜的厚度，计算得到当前参数下硅薄膜的沉积速率；④另取一单晶硅基片，溅射锗的单一薄膜，溅射压强为4×10‑4～5×10‑4Torr，负极偏置电压为600～700V，溅射气体为氩气，气体流量为30sccm～50sccm，溅射时间30～50min，测得所沉积薄膜的厚度，计算得到当前参数下锗薄膜的沉积速率；⑤采用共溅的方法，在又一单晶硅基片沉积不同成分的硅锗合金薄膜，溅射压强为4×10‑4～5×10‑4Torr，负极偏置电压为600～700V，溅射气体为氩气，气体流量为30sccm～50sccm，溅射时间为30～50min，测得所沉积薄膜的厚度，得到具有不同成分比的硅锗合金薄膜；上述步骤③、步骤④和步骤⑤中的溅射压强、负极偏置电压、气体流量及溅射时间均保持一致，所述硅锗合金薄膜的厚度为64nm～280nm。