[发明专利]一种双层薄膜结构的柔性阻变存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 201510506263.4 | 申请日： | 2015-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN105206744A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 朱俊;房丽彬;吴智鹏;刘兴鹏;罗文博;张万里;李言荣 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种双层薄膜结构的柔性阻变存储器及其制备方法，属于阻变存储器领域。所述柔性阻变存储器从下往上依次为柔性衬底、底电极、ZnO薄膜层、Al2O3薄膜层和顶电极，所述ZnO薄膜层和Al2O3薄膜层共同组成了阻变存储器的阻变存储介质层。本发明阻变存储器具有优异的阻变效应：稳定的高低阻态分布，较高的开关比，较长的保存时间，实现了器件在经过一定次数的弯曲后仍保持良好的阻变特性；且本发明柔性阻变存储器在柔性存储和电路领域具有潜在的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双层 薄膜 结构 柔性 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种双层薄膜结构的柔性阻变存储器，从下往上依次为柔性衬底、底电极、ZnO薄膜层、Al2O3薄膜层和顶电极，所述ZnO薄膜层和Al2O3薄膜层共同组成了阻变存储器的阻变存储介质层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510506263.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：有机发光显示装置及其制造方法
- 下一篇：一种霍尔器件的封装形式
