[发明专利]一种场发射的氮化物发光二极管

摘要

本发明公开了一种场发射的氮化物发光二极管，通过制作纳米锥状N型氮化物、纳米锥状多量子阱和纳米锥状P型氮化物，然后在纳米锥状N型氮化物或纳米锥状多量子阱或纳米锥状P型氮化物尖端沉积铜纳米丝，利用纳米锥状尖端的场发射效应，实现纳米结构的氮化物发光二极管的电致发光，解决纳米结构难以制作P型氮化物和接触电极的难题。

主权项

一种场发射的氮化物发光二极管，包括N型侧材料层、P型侧材料层、纳米锥状多量子阱和铜纳米丝，定义所述N型侧材料层包括N型接触电极、第一导电衬底、第一N型氮化物和若干个纳米锥状第二N型氮化物，所述P型侧材料层包括若干个纳米锥状第二P型氮化物、第一P型氮化物、第二导电衬底和P型接触电极，所述纳米锥状多量子阱位于所述纳米锥状第二N型氮化物或所述纳米锥状第二P型氮化物上；所述铜纳米丝至少位于所述纳米锥状多量子阱或所述纳米锥状N型氮化物的任意一个尖端之上，或者是所述铜纳米丝至少位于所述纳米锥状多量子阱或所述纳米锥状P型氮化物的任意一个尖端之上，通过P型接触电极和N型接触电极加高压电场，引起尖端产生场发射效应，使电子和空穴复合发光，其中所述高压电场的电压为1V~1000KV。