[发明专利]一种低反射率晶体硅太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种低反射率晶体硅太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：a)对硅片依次进行去损伤层，扩散制p-n结和去磷硅玻璃；b)在硅片正面制备第一减反薄膜；c)在第一减反薄膜上进行激光打孔，形成纳米陷光结构；d)在第一减反薄膜表面和纳米孔内制备第二减反薄膜，第二减反薄膜覆盖在第一减反薄膜上形成复合减反薄膜；e)快速退火；f)在第二减反薄膜表面制备Ag正电极，在硅片背面制作Al背场和Ag背电极。与现有技术相比，本发明具有避免了对晶体硅的表面损伤，减少了硅表面的载流子复合速率、降低反射率和提高电池的转换效率的优点。本发明还公开了由上述制备方法制得一种低反射率晶体硅太阳能电池。

主权项

一种低反射率晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：a)对硅片依次进行去损伤层，扩散制p‑n结和去磷硅玻璃；b)在硅片正面制备第一减反薄膜；c)在第一减反薄膜上进行激光打孔，形成纳米陷光结构；d)在第一减反薄膜表面和纳米孔内制备第二减反薄膜，第二减反薄膜覆盖在第一减反薄膜上形成复合减反薄膜；e)快速退火；f)在第二减反薄膜表面制备Ag正电极，在硅片背面制作Al背场和Ag背电极。