[发明专利]一种有机材料阻变存储元件及其制备方法

摘要

本发明提供了一种有机材料阻变存储元件及其制备方法。该存储元件的结构包括由下至上依次排布的下电极层、阻变介质层和上电极层；下电极层为ITO层，阻变介质层为CH3NH3PbI3−xCl3层，上电极层为Ag层或Al层。所述有机材料阻变存储元件的制备方法是采用溶胶‑凝胶法在ITO玻璃的ITO层形成CH3NH3PbI3−xCl3层，之后退火处理，接着采用真空蒸发方法在CH3NH3PbI3−xCl3层上沉积Ag或Al的上电极层，最终形成异质结构层形式为Ag或Al/CH3NH3PbI3−xCl3/ITO的阻变存储元件。本发明所制备的有机材料阻变存储元件性能稳定，具有较好的抗疲劳性以及保持特性。

主权项

一种有机材料阻变存储元件，其特征是，其结构包括由下至上依次排布的下电极层、阻变介质层和上电极层；所述下电极层为ITO层，所述阻变介质层为CH3NH3PbI3−xCl3层，所述上电极层为Ag层或Al层；所述上电极层由若干均匀分布的直径为50μm~300μm的圆形电极膜构成。