[发明专利]基于45°光纤的非本征型光纤珐珀声压传感器及加工方法有效
| 申请号： | 201510508642.7 | 申请日： | 2015-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN105067102B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 金鹏;刘彬;刘欢;王健 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G01H9/00 | 分类号： | G01H9/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙)23209 | 代理人： | 张伟 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明基于45°光纤的非本征型光纤珐珀声压传感器及加工方法属于声压传感器技术领域；该传感器包括一个硅支撑结构，一根从硅支撑结构侧面贴靠底部插入的研抛端面为45°的光纤，设置在硅支撑结构顶部的声压敏感薄膜，硅支撑结构与声压敏感薄膜构成珐珀腔；声压敏感薄膜为银薄膜，银薄膜内切圆直径与厚度的比值大于1000；该加工方法首先加工硅支撑结构，并在基座上表面依次旋涂正性光刻胶，沉积声压敏感薄膜，再将硅支撑结构顶端与声压敏感薄膜粘贴在一起，然后溶解正性光刻胶，最后将光纤从光纤插口插入、调整，再将光纤插口密封；本发明不仅能够满足贴合于被测物表面使用的技术需求，而且能够解决共轴型非本征型光纤珐珀腔声压传感器稳定性差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 45 光纤 声压 传感器 加工 方法 | ||
【主权项】：
基于45°光纤的非本征型光纤珐珀声压传感器，包括一个硅支撑结构(1)，一根从硅支撑结构(1)侧面贴靠底部插入的研抛端面为45°的光纤(2)，设置在硅支撑结构(1)顶部的声压敏感薄膜(3)，硅支撑结构(1)与声压敏感薄膜(3)构成珐珀腔；其特征在于，所述的声压敏感薄膜(3)为银薄膜，银薄膜内切圆直径与厚度的比值大于1000；所述的声压敏感薄膜(3)的厚度小于1微米，内切圆直径大于1000微米。
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