[发明专利]基于γ面LiAlO2衬底上黄光LED材料及其制作方法

摘要

本发明公开了一种基于γ面LiAlO2衬底上黄光LED材料及其制作方法。其生长步骤是1)将γ面LiAlO2衬底置于MOCVD反应室中进行热处理；2)在热处理后的衬底上生长厚度为10‑200nm的低温成核层；3)在成核层之上生长厚度为0.2‑100μm，O掺杂浓度为3×1017cm‑3～3×1019cm‑3，C掺杂浓度为1×1017cm‑3～2×1019cm‑3的高温有源层；4)在有源层之上生长厚度为0.01‑10μm，Mg掺杂浓度为2×1017cm‑3～3×1019cm‑3的高温p型GaN层。本发明具有工艺简单，成本低，发光效率高的优点，可用于制作非极性m面GaN黄光发光二极管。

主权项

一种基于γ面LiAlO2衬底上黄光LED材料，自上而下分别为p型GaN层，有源层，成核层和γ面LiAlO2衬底，其特征在于有源层使用C掺杂和O掺杂的n型m面GaN层，以在GaN中引入C的深能级，为发黄光的电子、空穴提供复合平台。