[发明专利]交流驱动QLED及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510509338.4 申请日: 2015-08-18
公开(公告)号: CN105161629B 公开(公告)日: 2018-07-03
发明(设计)人: 肖标;付东;谢相伟 申请(专利权)人: TCL集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 深圳中一专利商标事务所 44237 代理人: 张全文
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明适用于量子点二极管发光领域,提供了一种交流驱动QLED及其制备方法。所述交流驱动QLED包括阳极层、量子点发光层和阴极层,还包括第一介电层、第二介电层、第一p‑n结型电荷产生层和第二p‑n结型电荷产生层,所述第一介电层、第一p‑n结型电荷产生层、量子点发光层、第二p‑n结型电荷产生层、第二介电层和所述阴极层依次层叠设置在所述阳极层上,其中,所述第一p‑n结型电荷产生层、第二p‑n结型电荷产生层均包括层叠设置的p型电荷产生层和n型电荷产生层,且所述量子点发光层上下表面分别层叠所述p型电荷产生层和所述n型电荷产生层;或所述量子点发光层上下表面分别层叠所述n型电荷产生层和所述p型电荷产生层。
搜索关键词: 电荷产生层 量子点 发光层 介电层 交流驱动 上下表面 阳极层 阴极层 制备 层叠设置 发光领域 依次层叠 二极管
【主权项】:
1.一种交流驱动QLED,包括阳极层、量子点发光层和阴极层,其特征在于,还包括第一介电层、第二介电层、第一p‑n结型电荷产生层和第二p‑n结型电荷产生层,所述第一介电层、第一p‑n结型电荷产生层、量子点发光层、第二p‑n结型电荷产生层、第二介电层和所述阴极层依次层叠设置在所述阳极层上,其中,所述第一介电层、第二介电层由金属氧化物制成;所述第一p‑n结型电荷产生层、第二p‑n结型电荷产生层均包括层叠设置的p型电荷产生层和n型电荷产生层,且所述量子点发光层上下表面分别层叠所述p型电荷产生层和所述n型电荷产生层;或所述量子点发光层上下表面分别层叠所述n型电荷产生层和所述p型电荷产生层。
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