[发明专利]一种原位生长制备氧化钴纳米片超电容电极材料的方法有效
| 申请号： | 201510509657.5 | 申请日： | 2015-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN105118685B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 戴玉明;朱帅帅;王章忠;赵玉全;李长振;吴文婷 | 申请（专利权）人： | 南京工程学院 |
| 主分类号： | H01G11/86 | 分类号： | H01G11/86;H01G11/46 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 211167 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种原位生长制备氧化钴纳米片超电容电极材料的方法，包括对钴片基体进行预处理，去除其表面的油脂和氧化物；将预处理过的钴片基体置于无水乙醇中进行超声震荡浸泡，取出后烘干，真空保存待用；将待用钴片进行氧化处理，得到氧化钴超电容电极材料。本发明方法简单、高效、制备成本低、环境污染小，制得的氧化钴纳米片电极材料具有优异的电容性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 原位 生长 制备 氧化钴 纳米 电容 电极 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种原位生长制备氧化钴纳米片超电容电极材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、对钴片基体进行预处理，去除其表面的油脂和氧化物；S2、将预处理过的钴片基体置于无水乙醇中进行超声震荡浸泡，取出后烘干，真空保存待用；S3、将步骤S2制得的待用钴片进行氧化处理，得到氧化钴超电容电极材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京工程学院，未经南京工程学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510509657.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
