[发明专利]一种具有超高长径比的P掺杂SiC纳米线及其制备方法

摘要

本发明涉及一种SiC纳米线，具体涉及一种具有长高长径比的P掺杂SiC纳米线及其制备方法，属于纳米材料技术领域。所述纳米线的相成份为3C-SiC，所述P掺杂SiC纳米线中P掺杂量为0.10-0.15at.％，所述纳米线的直径为50-200nm，长径比为500-3000。制备方法包括如下步骤：有机前驱体热交联固化和粉碎，得有机前驱体粉末；碳纸浸渍在含有催化剂的乙醇溶液中，并超声处理；将有机前驱体粉末和FePO₄粉末混合置于石墨坩埚底部，在坩埚顶部放置超声处理后的碳纸；将石墨坩埚及碳纸一起置于气氛烧结炉中，在Ar气氛保护下于1350-1450℃下进行热解；气氛烧结炉先冷却至1080-1150℃，再随炉冷却至室温，即可得到具有超高长径比的P掺杂SiC纳米线。本发明纳米线的直径为50-200nm，长径比可达500-3000。

主权项

一种具有超高长径比的P掺杂SiC纳米线，其特征在于，所述纳米线的相成份为3C‑SiC，所述P掺杂SiC纳米线中P掺杂量为0.10‑0.15at.％，所述纳米线的直径为50‑200nm，长径比为500‑3000。