[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置有效
| 申请号： | 201510510958.X | 申请日： | 2015-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN105261591B | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 严允晟 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，本发明的阵列基板的制作方法包括依次形成薄膜晶体管、第一绝缘层、第一透明导电层、第二绝缘层和第二透明导电层的图形的步骤，其中，通过一次构图工艺形成第一透明导电层和第二绝缘层的图形。由于第一透明导电层和第二绝缘层的图形是通过一次构图工艺形成，因而，可减少一张mask，从而降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板的制作方法，包括依次形成薄膜晶体管、第一绝缘层、第一透明导电层、第二绝缘层和第二透明导电层的图形的步骤，其特征在于，通过一次构图工艺形成第一透明导电层和第二绝缘层的图形；所述通过一次构图工艺形成第一透明导电层和第二绝缘层的图形的步骤包括：形成贯穿所述第二绝缘层和所述第一透明导电层的第一过孔的步骤，其中，所述第一过孔包括形成在所述第二绝缘层上的第一子孔以及形成在所述第一透明导电层上的第二子孔，所述第二子孔的孔径大于所述第一子孔的孔径。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
