[发明专利]一种P掺杂SiC纳米颗粒薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201510511223.9 | 申请日： | 2015-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN105161554A | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | 陈善亮;高凤梅;王霖;郑金桔;杨为佑 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | H01L31/028 | 分类号： | H01L31/028 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(普通合伙) 33243 | 代理人： | 张向飞 |
| 地址： | 315016 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种P掺杂SiC纳米颗粒薄膜的制备方法，属于纳米材料技术领域。所述制备方法包括如下步骤：有机前驱体热交联固化和粉碎，得有机前驱体粉末；将有机前驱体粉末和FePO4·H2O粉末混合均匀后置于石墨坩埚底部，将碳布衬底放置在坩埚顶部；将石墨坩埚及碳布衬底一起置于气氛烧结炉中，先以28-32℃/min的速率从室温升温至1300-1400℃，再以20-25℃/min的速率升温至1400-1500℃进行热解；热解后气氛烧结炉以12-75℃/min的速率先冷却至1080-1150℃，再随炉冷却至室温，即可得到以碳布为衬底的P掺杂SiC纳米颗粒薄膜。本发明制备方法简单可控，具有很好重复性，实现了在碳纤维布衬底上制备SiC纳米颗粒薄膜，实现了对SiC纳米颗粒薄膜的P掺杂，并实现了对P掺杂SiC纳米颗粒尺寸的有效调控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 sic 纳米 颗粒 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种P掺杂SiC纳米颗粒薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：有机前驱体热交联固化和粉碎，得有机前驱体粉末；将有机前驱体粉末和FePO4·H2O粉末混合均匀后置于石墨坩埚底部，将碳布衬底放置在坩埚顶部；将石墨坩埚及碳布衬底一起置于气氛烧结炉中，先以28‑32℃/min的速率从室温升温至1300‑1400℃，再以20‑25℃/min的速率升温至1400‑1500℃进行热解；热解后气氛烧结炉以12‑75℃/min的速率先冷却至1080‑1150℃，再随炉冷却至室温，即可得到以碳布为衬底的P掺杂SiC纳米颗粒薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
