[发明专利]对嵌入管芯封装使用ABF GC腔的翘曲控制有效
| 申请号： | 201510511986.3 | 申请日： | 2015-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN105448867B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | D·A·劳瑞恩;I·E·Y·陈;D·N·索别斯基 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L23/29;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 诸实施例包括半导体器件封装和形成这类封装的方法。在一个实施例中，封装可包括管芯侧增强层，该管芯侧增强层具有贯通管芯侧增强层形成的腔。具有第一侧和包括器件侧的相对第二侧的管芯可被定位在腔内，且管芯的第一侧与管芯侧增强层的第一侧基本共面。在一个实施例中，构建结构可耦合至管芯的第二侧。诸实施例包括构建结构，其包括由图案化的导电材料和绝缘材料构成的多个交替层。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入 管芯 封装 使用 abf gc 控制 | ||
【主权项】：
1.一种器件封装，包括：具有第一侧和相对第二侧的管芯侧增强层，其中贯穿所述管芯侧增强层形成腔；具有第一侧和包括带触点的器件侧的相对第二侧的管芯，其中所述管芯被定位在腔内，且所述管芯的第一侧与所述管芯侧增强层的第一侧基本共面；以及耦合至所述管芯的第二侧的构建结构，所述构建结构包括由图案化的导电材料和绝缘材料构成的多个交替层，其中所述图案化的导电材料层中的至少一个耦合至所述管芯的触点中的一个，其中所述构建结构进一步包括第二增强层。
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