[发明专利]一种压阻式压力传感器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510512767.7 申请日: 2015-08-19
公开(公告)号: CN105092117B 公开(公告)日: 2017-06-09
发明(设计)人: 聂萌;章丹;黄庆安 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: G01L1/18 分类号: G01L1/18;G01L9/06
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 代理人: 杨晓玲
地址: 211189 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种压阻式压力传感器及其制备方法,该压力传感器包括LCP衬底、LCP薄膜层、金属电极、石墨烯薄膜层和石墨烯阵列层;LCP薄膜层固定连接在LCP衬底上,LCP薄膜层中设有阵列式结构的通孔,金属电极连接在LCP薄膜层两端的上方,石墨烯薄膜层连接在LCP薄膜层上,且石墨烯薄膜层填充金属电极之间的空隙和覆盖金属电极;石墨烯阵列层填充在LCP薄膜的通孔中,且石墨烯薄膜层和石墨烯阵列层连接。该压力传感器不仅具有了衬底可弯曲变形的优点,还具有良好的灵敏度,能够广泛使用于生物医学、可穿戴设备等领域。
搜索关键词: 一种 压阻式 压力传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
一种压阻式压力传感器的制备方法,其特征在于,该制备方法包括以下步骤:第一步:对单面覆有金属薄层(6)的LCP薄膜层(2)进行激光打孔,构成阵列式结构的通孔;第二步:利用迭片热压将LCP薄膜层(2)与LCP衬底(1)粘合;第三步:在覆有金属薄层(6)的LCP薄膜层(2)的两端涂上光刻胶层(5);第四步:对未被光刻胶层(5)覆盖的金属薄层(6)进行腐蚀;第五步:去除光刻胶层(5),形成金属电极(3);第六步:将石墨烯阵列层(7)填充在LCP薄膜(2)的通孔中,将石墨烯薄膜层(4)连接在LCP薄膜层(2)上,且石墨烯薄膜层(4)填充金属电极(3)之间的空隙和覆盖金属电极(3),从而制成压力传感器;所述压力传感器包括LCP衬底(1)、LCP薄膜层(2)、金属电极(3)、石墨烯薄膜层(4)和石墨烯阵列层(7);LCP薄膜层(2)固定连接在LCP衬底(1)上,LCP薄膜层(2)中设有阵列式结构的通孔,金属电极(3)连接在LCP薄膜层(2)两端的上方,石墨烯薄膜层(4)连接在LCP薄膜层(2)上,且石墨烯薄膜层(4)填充金属电极(3)之间的空隙和覆盖金属电极(3);石墨烯阵列层(7)填充在LCP薄膜(2)的通孔中,且石墨烯薄膜层(4)和石墨烯阵列层(7)连接。
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