[发明专利]一种防止I/O电路不确定态的上电检测电路有效

专利信息
申请号: 201510514279.X 申请日: 2015-08-20
公开(公告)号: CN105049028B 公开(公告)日: 2018-10-16
发明(设计)人: 张瑞波 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人: 吴世华;陈慧弘
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种防止I/O电路不确定态的上电检测电路,包含输入阻抗、多级反相器和至少一个反馈反相器,多级反相器的数目≥3,反馈反相器由共漏极和共栅极的一个PMOS场效应管和一个NMOS场效应管构成;该共漏极与第二级至N‑1级反相器中的某一级输出端相连(例如,M级),该共栅极与M+1级反相器的输出端相连;其中,反馈反相器中的PMOS和NMOS场效应管的尺寸电特性大于该某一反相器的尺寸电特性。因此,本发明通过反相器与反馈反相器电路的配合,能有效消除上电检测电路中因主电源VCC和I/O电源VCCIO数值变化给整个电路带来的影响,使得整个电路信号维持在一个稳定状态,避免了整个电路因信号不稳定所产生的输出结果不准确问题,确保电路工作正常。
搜索关键词: 一种 防止 电路 不确定 检测
【主权项】:
1.一种防止I/O电路不确定态的上电检测电路,包含输入阻抗,多级反相器,其中,所述多级反相器的数目为N,N为正整数,N≥3;第一级反相器由至少一个串联结构的PMOS场效应管和一个NMOS场效应管构成,其余的反相器由一个PMOS场效应管和一个NMOS场效应管构成;其特征在于,还包含至少一个反馈反相器,所述反馈反相器由一个PMOS场效应管和一个NMOS场效应管构成,两个场效应管的漏极连接在一起,栅极也连接在一起;所述反馈反相器的漏极与M级反相器的输出端相连,所述反馈反相器的栅极与M+1级反相器的输出端相连;其中,所述反馈反相器的PMOS和NMOS场效应管的尺寸电特性大于所述M级反相器的尺寸电特性,且所述的M级反相器为第二级反相器至N‑1级反相器中的某一级反相器。
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