[发明专利]TFT基板的制作方法及TFT基板结构

摘要

本发明提供一种TFT基板的制作方法及TFT基板结构。本发明的TFT基板的制作方法，在制作非晶硅层的过程中，采用多步成膜的方式，并在每步成膜后使用硼氢化合物气体通过CVD表面处理对非晶硅薄膜进行硼离子注入，最终得到硼离子掺杂的非晶硅层，形成沟道区后无需单独对沟道区进行掺杂，有效简化了制程，降低了生产成本。本发明的TFT基板结构，沟道区在非晶硅成膜时即完成硼离子注入，无需单独进行沟道掺杂制程，制作简单，生产成本低。

主权项

一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供基板(1)，在所述基板(1)上沉积缓冲层(2)；步骤2、在所述缓冲层(2)上沉积一非晶硅薄膜(301)，并在所述非晶硅薄膜(301)表面通入硼氢化合物气体，采用化学气相沉积的方法对所述非晶硅薄膜(301)进行表面处理，使得所述非晶硅薄膜(301)的表面掺杂硼离子；步骤3、重复步骤2的操作数次，得到数层表面掺杂硼离子的非晶硅薄膜(301)，所述数层表面掺杂硼离子的非晶硅薄膜(301)叠加构成非晶硅层(3)；步骤4、对所述非晶硅层(3)进行退火处理，去除非晶硅层(3)中掺杂的氢离子，同时使得掺杂到每层非晶硅薄膜(301)表面的硼离子均匀扩散到整个非晶硅层(3)中，实现对整个非晶硅层(3)的硼离子掺杂；步骤5、使用两道光罩对所述硼离子掺杂后的非晶硅层(3)进行两次离子注入，得到位于所述非晶硅层(3)两侧的两个N型重掺杂区(31)、位于所述非晶硅层(3)中部的硼离子掺杂沟道区(33)、及位于所述两个N型重掺杂区(31)与硼离子掺杂沟道区(33)之间的两个N型轻掺杂区(32)；步骤6、在所述非晶硅层(3)上依次形成栅极绝缘层(5)、栅极(6)、层间绝缘层(7)、及源、漏极(81、82)。